三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片

三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采取类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这类产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能到达40Mbps的水平。

即使将这类芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的延续读取速率，一样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这类闪存芯片产品既合适智能手机，便携多媒体播放器等产品，也一样适用于SSD硬盘等装备。另外一款三星新推出的闪存芯片产品，则是采取每一个基本存储单元可存储3位数据技术的3位记忆型闪存芯片产品，比经常使用的2位记忆型闪存的单位容量多50%。不过三星这款产品目前主要面向移动存储装备，而不是高速存储装备。三星这类3位闪存芯片早期将主要运用在其8GB microSDHC闪存卡上，随后会将其逐渐推行到更大容量的产品如USB闪盘等运用场合中去。不过三星并没有泄漏其DDR型闪存的运用对象，只称目前只有“部份主要的OEM厂商”在使用这类DDR型闪存芯片。据猜想，三星所谓的“部份主要的OEM厂商”或许包括苹果在内。苹果一直是三星重要的客户之一，他们常常抢先在自己的iPhone/iPod等产品中启用三星最新技术的闪存芯片产品。CNBeta编译原文：electronista

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